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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了包括鳍形有源区的集成电路装置及其形成方法。所述装置可以包括鳍形有源区、鳍形有源区上的多个半导体图案、多个半导体图案上的栅电极以及分别位于栅电极的相对侧上的源极漏极区。栅电极可以包括在最上面的半导体图案上延伸的主栅极部分以及在多个半导体图案中的两个相邻半导体图案之间延伸的子栅极部分。子栅极部分可以包括子栅极中心部分和子栅极边缘部分。在水平截面图中，子栅极中心部分在第一方向上的第一宽度可以小于子栅极边缘部分中的一个子栅极边缘部分在第一方向上的第二宽度。
主权项：1.一种集成电路装置，包括：鳍形有源区，其从衬底突出并沿第一方向延伸；多个半导体图案，其位于所述鳍形有源区的上表面上并且与所述鳍形有源区的上表面间隔开，所述多个半导体图案包括沟道区和最上面的半导体图案，所述最上面的半导体图案是所述多个半导体图案中离所述鳍形有源区的上表面最远的一个半导体图案；栅电极，其在所述多个半导体图案上沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述栅电极包括在所述最上面的半导体图案上沿所述第二方向延伸的主栅极部分以及位于所述多个半导体图案中的两个相邻的半导体图案之间的子栅极部分；以及源极漏极区，其分别位于所述栅电极的相对侧上并且连接到所述多个半导体图案，其中，所述子栅极部分包括：子栅极中心部分；和子栅极边缘部分，其分别包括所述子栅极部分在所述第二方向上的相对端部，其中，在第一水平截面图中，所述子栅极中心部分在所述第一方向上的第一宽度小于所述子栅极边缘部分中的一个子栅极边缘部分在所述第一方向上的第二宽度，并且其中，所述源极漏极区中的每一个包括朝向所述子栅极边缘部分中的相应一个子栅极边缘部分突出的突出部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 集成电路装置及其制造方法
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