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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括多个存储单元区，存储单元区包括沿第一方向延伸且沿第二方向相邻的子单元区，子单元区包括：位于基底上沿第一方向延伸的第一沟道结构、以及横跨第一沟道结构的第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构与第二栅极结构沿第二方向延伸且沿第一方向平行排布，第一栅极结构与第一沟道结构构成下拉晶体管，第二栅极结构与第一沟道结构构成传输门晶体管；沿第一方向延伸的第二沟道结构、以及横跨第二沟道结构的第三栅极结构，第二沟道结构悬置于下拉晶体管的第一沟道结构上方，第三栅极结构沿第二方向延伸，第三栅极结构与第二沟道结构构成上拉晶体管。本发明提高半导体结构的工作性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括多个存储单元区，所述存储单元区包括沿第一方向延伸且沿第二方向相邻的子单元区，所述第一方向垂直于第二方向，所述子单元区包括：位于所述基底上沿所述第一方向延伸的第一沟道结构、以及横跨所述第一沟道结构的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构与第二栅极结构沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向平行排布，所述第一栅极结构与第一沟道结构构成下拉晶体管，所述第二栅极结构与第一沟道结构构成传输门晶体管；沿所述第一方向延伸的第二沟道结构、以及横跨所述第二沟道结构的第三栅极结构，所述第二沟道结构悬置于所述下拉晶体管的第一沟道结构上方，所述第三栅极结构沿所述第二方向延伸，所述第三栅极结构与第二沟道结构构成上拉晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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