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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请公开了具有鳍结构的半导体器件及其形成方法。本文描述了形成半导体器件的方法，其中，沟道区域包括含锗层、以及在含锗层上的晶体硅层。栅极结构在第一表面和第二表面之上，第二表面与第一表面相对。在一些实施方式中，晶体硅层可以减轻处理期间的损坏。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成所述半导体器件的沟道区域，其中，形成所述沟道区域包括：提供包括锗的层；以及在所述包括锗的层上沉积晶体硅层；以及在第一表面和第二表面之上形成栅极结构，所述第二表面与所述第一表面相对。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 具有鳍结构的半导体器件及其形成方法
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