龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种自定义有源区沟槽的分离栅功率器件的制造方法，包括：在硅衬底上制备外延层和氧化硅薄膜，并根据沟槽图形刻蚀出沟槽的上半部；在栅极沟槽图形对应的区域淀积氮化硅保护膜，并向下刻蚀出沟槽的下半部形成源极沟槽；在源极沟槽形成耐压氧化层并制备屏蔽栅极多晶硅；去除氮化硅保护膜形成栅极沟槽，制作栅氧化层和多晶硅层间氧化层；在栅极沟槽中制作栅极多晶硅；形成体区与源区；制备接触孔和钨栓；蚀刻形成电路，并制作钝化层。本发明中，通过氮化硅保护膜对平台区进行保护，可以使栅极沟槽的宽度更窄，从而提高功率器件开启电压的分布离散度；并可以使栅极沟槽更浅，从而缩小栅源电容，还能减少工艺步骤。
主权项：1.一种自定义有源区沟槽的分离栅功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在硅衬底上依次制备外延层和氧化硅薄膜，并根据栅极沟槽图形和源极沟槽图形通过光刻工艺在外延层上刻蚀出沟槽的上半部；S2、在沟槽的上半部与栅极沟槽图形对应的侧壁区域淀积氮化硅保护膜，并在沟槽未覆盖氮化硅保护膜的区域向下刻蚀出沟槽的下半部，形成源极沟槽；S3、在源极沟槽的下半部的侧壁及槽底通过氧化形成耐压氧化层，并在源极沟槽中制备屏蔽栅极多晶硅；S4、去除氮化硅保护膜形成栅极沟槽，通过氧化在栅极沟槽形成栅氧化层以及同时在屏蔽栅极多晶硅的暴露表面形成多晶硅层间氧化层；S5、在栅极沟槽中制作栅极多晶硅；S6、通过离子注入形成体区与源区；S7、制备接触孔和钨栓；S8、蚀刻形成电路，并制作钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆万国半导体科技有限公司 自定义有源区沟槽的分离栅功率器件的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号