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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种半浮栅多晶硅栅的制造方法，包括：提供完成了半浮栅沟槽形成工艺的半导体衬底。形成半浮栅介质层。形成第一多晶硅层将半浮栅沟槽和第一有源区顶部的间隔区完全填充，在第一有源区的顶部第一多晶硅层具有第一厚度。进行第一次无掩膜刻蚀使使第一厚度减少并从从而调节后续的半浮栅介质窗口的深宽比。进行第二次图形化刻蚀形成半浮栅介质窗口。形成第二多晶硅层将半浮栅介质窗口完全填充，调节第二多晶硅层的厚度形成无蝶形缺陷表面。进行第三次无掩膜刻蚀使第一有源区的顶部的多晶硅顶部表面降低到所需高度。本发明能降低半浮栅介质窗口的刻蚀和填充的难度，还能改善半浮栅多晶硅栅的厚度的控制难度、控制精度和面内均匀性。

主权项：1.一种半浮栅多晶硅栅的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供完成了半浮栅沟槽形成工艺的半导体衬底，在存储单元区中，所述半导体衬底上形成有由场氧定义的第一有源区，所述第一有源区平行排列，在所述场氧顶部形成有硬质掩膜层，所述半浮栅沟槽形成于所述第一有源区的选定区域中；形成半浮栅介质层，所述半浮栅介质层形成于所述半浮栅沟槽的内侧表面并延伸到所述半浮栅沟槽外的所述第一有源区的表面；进行第一次多晶硅沉积形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层将所述半浮栅沟槽完全填充以及将所述场氧之间的所述第一有源区顶部的间隔区完全填充并延伸到所述场氧的顶部表面之上；在所述第一有源区的顶部所述第一多晶硅层具有第一厚度，在所述场氧的顶部所述第一多晶硅层具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；进行第一次无掩膜刻蚀使所述第一多晶硅层的顶部表面降低并使所述第一厚度减少；通过减少所述第一厚度来调节后续的半浮栅介质窗口的深宽比，且将所述半浮栅介质窗口的深宽比调节到满足在后续的第二多晶硅沉积中实现对所述半浮栅介质窗口进行完全填充；进行第二次图形化刻蚀形成半浮栅介质窗口；所述半浮栅介质窗口穿过所在区域的所述第一多晶硅层和所述半浮栅介质层并将底部的所述第一有源区的顶部表面露出；进行第二次多晶硅沉积形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层将所述半浮栅介质窗口完全填充且延伸到所述半浮栅介质窗口外，调节所述第二多晶硅层的厚度使所述第二多晶硅层的顶部表面无蝶形缺陷；进行第三次无掩膜刻蚀使所述第一有源区的顶部的所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层的叠加层的顶部表面降低到半浮栅多晶硅栅的顶部表面所需要的高度。

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