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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种改善掺杂多晶硅机台中颗粒不良的方法，包括：S1：当炉管内的磷浓度大于预设有的浓度阈值时，使用氮气将所述炉管内的磷元素吹出；S2：将所述炉管中的温度设置到至少580℃，并在所述炉管内壁沉积形成非掺杂多晶硅层。本申请通过上述方案，可以减少掺杂多晶硅成膜过程中产生颗粒的可能性。
主权项：1.一种改善掺杂多晶硅机台中颗粒不良的方法，其特征在于，包括：S1：当炉管内的磷浓度大于预设有的浓度阈值时，使用氮气将所述炉管内的磷元素吹出；S2：将所述炉管中的温度设置到至少580℃，并在所述炉管内壁沉积形成非掺杂多晶硅层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 改善掺杂多晶硅机台中颗粒不良的方法
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