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申请/专利权人：无锡混沌能源技术有限公司

摘要：本发明涉及一种多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，包括以下步骤：确定雾化异常检测控制的关键影响因素；从DCS系统数据库批量读取历史炉次数据，形成经验数据库储备；异常检测规则的适配；异常检测规则的校正；构建检测控制处理逻辑；最终建立统一的标准化雾化一异常检测处理方法。本发明能够解决传统控制方法中专家经验的标准化问题，同时解决了自动化改进方法中异常检测及控制处理方法的普适性问题。

主权项：1.一种多晶硅还原炉的雾化异常检测及控制处理方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤S1：确定雾化异常检测控制的关键影响因素，即对底盘出口尾气温度及其变化趋势进行检测与控制；步骤S2：从分布式控制系统的OPC数据库中批量读取历史炉次数据，包括反应时间、配方初始值、配方最终设定值以及底盘出口尾气温度，利用配方初始值与配方最终设定值的差值定位异常发生的时间点或时间区间，再根据所定位的时间点或时间区间在底盘出口尾气温度的数据上标记出异常点位，形成底盘出口尾气温度异常点位数据库作为经验数据库储备；其中，配方包括氢气流量、三氯氢硅流量、A1相电流、C1相电流、A2相电流、C2相电流、B1相电流以及B2相电流，所述配方初始值为工程师录入分布式控制系统且未在运行过程中调整的原始配方，所述配方最终设定值为在运行过程中配方初始值加上人工补偿调整的部分；步骤S3：对现场采集的多晶硅还原炉底盘出口尾气温度数据进行分析处理，消除数据的波动干扰，并统计其数值分布；步骤S4：基于步骤S3中获取的数据，通过异常检测方法设定底盘出口尾气温度变化的绝对异常数据范围、异常数据范围和正常数据范围，并对数据进行筛选；步骤S5：将步骤S4筛选出的异常数据与步骤S2经验数据库储备中的内容进行比对，当两者匹配度≥90％时，确认步骤S4采用的异常检测方法有效，若两者匹配度90％时，对异常检测方法进行校正，直至两者匹配度≥90％；步骤S6：通过步骤S5异常检测方法的校正，最终确认硅棒生长的时间区间、生产运行过程中底盘出口尾气温度的绝对异常区间、调整区间以及微调区间，并通过回调边界确定回调力度，以及确认补偿控制限值，构建检测控制处理逻辑；步骤S7：基于步骤S6构建的检测控制处理逻辑建立统一的标准化雾化异常检测处理方法。

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