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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种柔性超薄金属有机框架浮栅层闪存器件及其制备方法，属于柔性闪存器件料技术领域；本发明在柔性PET衬底上制备基于MOF的闪存器件，以PET上的ITO作为底栅电极，旋涂PMMA阻挡层作为栅极电介质层，旋涂MOF分散液作为浮栅层，旋涂PMMA作为隧穿层，蒸镀并五苯、金分别作为半导体层和源漏电极。本发明选用常用介电常数材料PMMA制作底栅电介质层和隧穿层，利用旋涂的方法制备MOF浮栅层，有利于器件尺寸按比例缩减，提高存储器集成度和存储速度。
主权项：1.一种柔性超薄金属有机框架浮栅层闪存器件，其特征在于，包括PET衬底，以及在PET衬底上自下而上依次形成的ITO底栅电极、PMMA底栅电介质层、MOF浮栅层、PMMA隧穿层、半导体和金属源漏电极；所述MOF浮栅层为超薄金属有机框架CuTCPP，所述超薄金属有机框架CuTCPP的厚度为1nm～2nm。
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权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 柔性超薄金属有机框架浮栅层闪存器件及其制备方法
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