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申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
摘要：本公开涉及半导体器件的漂移阱中的宽带隙材料，并且总体涉及半导体器件，该半导体器件包括位于半导体器件的漂移阱中的具有宽带隙能量或简称为带隙的材料。在一个示例中，半导体器件包括横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管。LDMOS晶体管包括漏极区162、源极区160和漂移阱142。漏极区162设置在半导体衬底102的半导体材料106中。源极区160设置在半导体衬底102的半导体材料106中。漂移阱142横向设置在漏极区162和源极区160之间。漂移阱142包括宽带隙材料120，并且宽带隙材料120的带隙能量大于半导体衬底102的半导体材料106的带隙能量。
主权项：1.一种半导体器件，其包含：第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管即第一LDMOS晶体管，其包含：漏极区，其设置在半导体衬底的半导体材料中；源极区，其设置在所述半导体衬底的所述半导体材料中；以及漂移阱，其横向设置在所述漏极区和所述源极区之间，所述漂移阱包括宽带隙材料，所述宽带隙材料的带隙能量大于所述半导体衬底的所述半导体材料的带隙能量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 半导体器件的漂移阱中的宽带隙材料
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