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申请/专利权人：上海卷积通讯技术有限公司
摘要：本发明公开了一种改善低仰角增益不圆度及相位中心稳定度的天线，包括：Π型耦合片，用于通过移相器电路产生0°和90°的相位差，并将能量耦合至天线辐射片；天线辐射片，用于产生圆极化辐射，将接收到的耦合能量辐射出去；天线辐射片设在第一介质板的顶部，Π型耦合片设在第一介质板的底部。Π型耦合片设有两个，且两个Π型耦合片呈90°设置，其中一个Π型耦合片位于介质耦合板底面的水平中心线上，另一个Π型耦合片位于介质耦合板底面的纵向中心线上。第二介质板固定在第一介质板底部，两个Π型耦合片设置在第二介质板上，两个Π型耦合片通过馈针贯穿第二介质板与底部的移相器电路连接，有效改善低仰角增益不圆度、相位中心稳定度。
主权项：1.一种改善低仰角增益不圆度及相位中心稳定度的天线，其特征在于，包括：Π型耦合片（3），Π型耦合片（3）用于通过移相器电路产生0°和90°的相位差，并直接将能量耦合至天线辐射片（2）；天线辐射片（2），天线辐射片（2）用于产生圆极化辐射，将接收到的耦合能量辐射出去；第二介质板（4），第二介质板（4）固定在第一介质板（1）的底部；其中：天线辐射片（2）设置在第一介质板（1）的顶部；Π型耦合片（3）设置在第二介质板（4）的顶部；Π型耦合片（3）设置有两个，且两个Π型耦合片（3）呈90°设置；Π型耦合片（3）的长为12~15mm，Π型耦合片（3）的宽为6~8mm，Π型耦合片（3）的金属线的宽度为2~3mm，天线辐射片（2）、Π型耦合片（3）的厚度在35~70μm范围内；第一介质板（1）的厚度大于第二介质板（4）的厚度；第二介质板（4）的底部设置移相器电路；两个Π型耦合片（3）通过对应的馈针（5）贯穿第二介质板（4）与移相器电路连接；所述Π型耦合片（3）设置有两个，其中一个Π型耦合片（3）位于第一介质板（1）底面的水平中心线上，另一个Π型耦合片（3）位于第一介质板（1）底面的纵向中心线上，所述Π型耦合片（3）的两个顶角处设置45°的切角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海卷积通讯技术有限公司 一种改善低仰角增益不圆度及相位中心稳定度的天线
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