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申请/专利权人：北京大学
摘要：本申请提供一种半导体器件、制备方法、存储器及电子设备。该半导体器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一半导体结构、第一隔离层和第二半导体结构；其中，第一方向是与第一隔离层垂直的方向；第一半导体结构包括至少一个第一标准单元，每一个第一标准单元包括两个子单元，每一个子单元包括两个第一晶体管；第二半导体结构包括至少一个第二标准单元，每一个第二标准单元包括两个第二晶体管；电源轨，位于每一个子单元的两个第一晶体管之间，且电源轨与第一晶体管的第一源漏结构连接；导电通道，位于第二半导体结构内，且导电通道的第一端与第二半导体结构内的供电金属结构连接，导电通道的第二端沿第一方向延伸，并穿过第一隔离层与电源轨连接。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：沿第一方向依次堆叠的第一半导体结构、第一隔离层和第二半导体结构；其中，所述第一方向是与所述第一隔离层垂直的方向；所述第一半导体结构包括至少一个第一标准单元，每一个所述第一标准单元包括两个子单元，每一个所述子单元包括两个第一晶体管；所述第二半导体结构包括至少一个第二标准单元，每一个所述第二标准单元包括两个第二晶体管；电源轨，位于每一个所述子单元的所述两个第一晶体管之间，且所述电源轨与所述第一晶体管的第一源漏结构连接；导电通道，位于所述第二半导体结构内，且所述导电通道的第一端与所述第二半导体结构内的供电金属结构连接，所述导电通道的第二端沿所述第一方向延伸，并穿过所述第一隔离层与所述电源轨连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 半导体器件、制备方法、存储器及电子设备
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