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上部电极结构、等离子体处理装置及组装上部电极结构的方法 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:本发明提供一种改善因自由基或气体产生的静电吸附部的损耗的技术。本发明的等离子体处理装置的上部电极结构具备:电极板,形成有沿厚度方向贯穿的气体吐出孔;气板,将处理气体供应至气体吐出孔的气体流路形成为在与气体吐出孔相向的位置沿厚度方向延伸;静电吸附部,介于电极板与气板之间且具有与气板的下表面接触的接触面和吸附电极板的上表面的吸附面;及屏蔽结构,屏蔽从气体吐出孔向电极板与气板之间移动的自由基或气体。

主权项:1.一种等离子体处理装置,其具备:等离子体处理腔室;基板支撑体,配置在所述等离子体处理腔室内,包含下部电极;及上部电极结构体,配置于所述基板支撑体的上方,所述上部电极结构体具有:冷却板,具有至少一个制冷剂流路;电极板,配置于所述冷却板的下方,具有用于气体吐出的第一贯穿孔;导电板,配置于所述冷却板与所述电极板之间,具有用于气体流路的第二贯穿孔;弹性静电吸附层,夹在所述电极板与所述导电板之间,与所述电极板的上表面以及上述导电板的下表面之间接触,具有部件孔;及屏蔽部件,配置于所述弹性静电吸附层的所述部件孔,具有第三贯穿孔,屏蔽自由基或气体;所述第一贯穿孔、所述第二贯穿孔和所述第三贯穿孔垂直排列。

全文数据:

权利要求:

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