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芯片框架和功率模块芯片 

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申请/专利权人:重庆云潼科技有限公司

摘要:本发明实施例公开了一种芯片框架和功率模块芯片。该芯片框架包括:基底,基底包括第一基岛区、第二基岛区、拉筋区和过渡区;拉筋区围绕第一基岛区、以及围绕第二基岛区;过渡区位于拉筋区之间、拉筋区和第一基岛区之间以及拉筋区和第二基岛区之间;基底对应过渡区的厚度小于基底对应第一基岛区的厚度,以及基底对应过渡区的厚度小于基底对应第二基岛区的厚度;其中,第一基岛区用于对应设置三个功率芯片的晶粒,第二基岛用于对应设置一个功率芯片的晶粒。利用本方案设计的芯片框架可以减小全桥的功率模块的设计体积,利用芯片框架替代部分全桥的功率模块的连接线路,便于后续实现全桥的功率模块的无外延引脚的封装设计。

主权项:1.一种芯片框架,其特征在于,包括:基底,所述基底包括第一基岛区、第二基岛区、拉筋区和过渡区;所述拉筋区围绕所述第一基岛区、以及围绕所述第二基岛区,所述拉筋区用于固定连接所述第一基岛区和所述第二基岛区,所述拉筋区的厚度小于所述第一基岛区和所述第二基岛区的厚度;所述过渡区位于所述拉筋区之间、所述拉筋区和所述第一基岛区之间以及所述拉筋区和所述第二基岛区之间;所述基底对应所述过渡区的厚度小于所述基底对应所述第一基岛区的厚度,以及所述基底对应所述过渡区的厚度小于所述基底对应所述第二基岛区的厚度;其中,所述第一基岛区用于对应设置三个功率芯片的晶粒,所述第二基岛用于对应设置一个所述功率芯片的晶粒;所述第一基岛区包括首尾相连的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘,所述第二基岛区包括首尾相连的第五边缘、第六边缘、第七边缘和第八边缘;所述第一边缘与所述第七边缘平行且相邻设置;所述拉筋区包括第一图案化结构、第二图案化结构以及第三图案化结构;所述第一图案化结构设置于所述第一基岛区的第三边缘的外侧;所述第二图案化结构置于所述第一边缘和所述第七边缘之间;所述第三图案化结构设置于所述第二边缘的外侧,或者所述第三图案化结构设置于所述第四边缘的外侧。

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权利要求:

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