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申请/专利权人：联发科技股份有限公司
摘要：本申请提供了一种半导体结构，其中该半导体结构包括氧化物定义区域、多个金属栅结构和多个源漏极接触。氧化物定义区域设置在半导体衬底上，并被绝缘区域环绕。多个金属栅结构设置在半导体衬底上制造的N型阱或P型阱上。多个源漏极接触设置在半导体衬底上制造的N型阱或P型阱上。此外，多个金属栅结构、多个源漏极接触和至少一个虚拟栅结构位于氧化物定义区域内。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一个氧化物定义区域，设置在半导体衬底上并被绝缘区域包围；多个金属栅结构，设置在所述半导体衬底上制造的N型阱或P型阱上；多个源漏极接触，设置在制造在所述N型阱或所述P型阱上的所述半导体衬底上；以及其中，所述多个金属栅结构，所述多个源漏极接触和至少一个虚拟栅结构位于所述氧化物定义区域内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联发科技股份有限公司 一种半导体结构
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