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申请/专利权人：华天科技(昆山)电子有限公司
摘要：本发明公开了一种高结合力铜凸点结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在裸硅正面进行刻蚀挖槽，再在槽中埋入相适配的芯片；在裸硅正面进行TSV通孔的刻蚀及电镀；在TSV通孔上进行RDL重布线层的制作；将得到的半成品与玻璃键合；对裸硅背面进行减薄，并制备光阻图形，露出光阻开口；在光阻开口处进行硅刻蚀形成凹坑，露出正面TSV通孔的底部；在刻蚀后的凹坑处沉积绝缘层，再电镀或填充导电聚合物，形成槽内凸点，再去除表面的光阻图形；拆除玻璃，并对槽内凸点两侧的硅进行刻蚀，露出槽内凸点和芯片背部，并在芯片背部贴上散热片。本发明能够改善凸点均一性及提高凸点与基底的结合力，并简化了工艺流程，降低了封装成本。
主权项：1.一种高结合力铜凸点结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在裸硅正面进行刻蚀挖槽，再在槽中埋入相适配的芯片；步骤二：在裸硅正面进行TSV通孔的刻蚀及电镀；步骤三：在TSV通孔上进行RDL重布线层的制作；步骤四：将步骤三所得半成品与玻璃键合；步骤五：对裸硅背面进行减薄，并制备光阻图形，露出光阻开口；步骤六：在光阻开口处进行硅刻蚀形成凹坑，露出正面TSV通孔的底部；步骤七：在刻蚀后的凹坑处沉积绝缘层，再电镀或填充导电聚合物，形成槽内凸点，再去除表面的光阻图形；步骤八：拆除玻璃，并对槽内凸点两侧的硅进行刻蚀，露出槽内凸点和芯片背部，并在芯片背部贴上散热片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华天科技(昆山)电子有限公司 一种高结合力铜凸点结构及其制备方法
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