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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：本发明提供一种在碳化硅基板（1）上使n‑型低浓度缓冲层（20）与外延层（2）外延生长的半导体芯片（30）的两个主面上分别具备电极的纵向型的碳化硅半导体装置的制造方法。根据n‑型低浓度缓冲层（20）的PL像，而检测出从碳化硅基板（1）向外延层（2）延伸的缺陷和在外延生长中生成于外延层（2）的缺陷，并根据外延层（2）的PL像，而检测出在外延生长中生成于外延层（2）的缺陷，并根据检测结果的差值，而检测出从碳化硅基板（1）向外延层（2）延伸的缺陷，并分选不包含从碳化硅基板（1）向外延层（2）延伸的缺陷的半导体芯片（30）。
主权项：1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，所述碳化硅半导体装置是在半导体芯片的两个主面上分别具备电极的纵向型的碳化硅半导体装置，该半导体芯片是在碳化硅基板上外延生长低浓度缓冲层与杂质浓度为1×1015cm3～1×1016cm3的范围的外延层而得的，所述低浓度缓冲层比所述外延层的杂质浓度高且具有3×1017cm3以下的杂质浓度，所述碳化硅半导体装置不包含从所述碳化硅基板向所述外延层延伸的缺陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法
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