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申请/专利权人：金发科技股份有限公司;珠海万通特种工程塑料有限公司
摘要：本发明公开了一种高熔点LCP薄膜及其制造方法与应用。其制造方法包括如下步骤：将LCP薄膜与双层离型铝箔压合，形成铝箔‑LCP薄膜‑铝箔层叠体；随后剥离其中一层铝箔，进行多段程序升温热处理，直到熔点提升至330℃以上，再剥离另一层铝箔，达到提升薄膜熔点的效果。采用本发明的方法制造的高熔点LCP薄膜，其剥离力高、两面剥离力差异小，制造过程简单，能直接制得卷材产品，且薄膜卷材不同区域熔点差异小，可将其应用于高频高速通信基板、毫米波雷达、机载、弹载或星载等领域。
主权项：1.一种高熔点LCP薄膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1压合覆铝：将LCP薄膜与两层粗糙度为1.5μm～2μm的铝箔热压贴合，形成铝箔-LCP薄膜-铝箔层叠体；其中，热压贴合的温度为所述LCP薄膜熔点以下10～30℃，压力为0.5～1.5吨，速度为0.5～1.5mmin；2阶梯程序升温提升熔点：①将步骤1中得到的铝箔-LCP薄膜-铝箔层叠体使用分切机将其中一层铝箔剥离后，用薄膜松紧卷机将LCP薄膜卷材倒松，然后将得到的样品放置在高温无氧烘箱中，在LCP薄膜的低温拐点Td1至高温拐点Td2的温度范围内烘烤4～6h，进行第一阶段的熔点提升，再进行第一次取样并测定样品的熔点、低温拐点Td1′和高温拐点Td2′；若熔点提升至330℃以上，则到此为止，得到所述高熔点LCP薄膜；若熔点低于330℃，则进行下一步骤；②将第一次取样后的剩余样品继续升温至Td1′～Td2′热处理2～6h进行第二阶段的熔点提升，再进行第二次取样并测定样品的熔点、低温拐点Td1″和高温拐点Td2″；若熔点提升至330℃以上，则到此为止，得到所述高熔点LCP薄膜；若熔点低于330℃，则进行下一步骤；③重复步骤②，直到熔点提升至330℃以上；待热处理完成后降温至150℃，取出薄膜，并用薄膜松紧卷机将薄膜倒紧，再用分切机将另一层铝箔剥离，得到所述高熔点LCP薄膜。
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权利要求：
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