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申请/专利权人:天津大学
摘要:一种基于LCP的射频器件集成制造方法,涉及一种射频器件集成制造方法。本发明是要解决目前LCP集成器件在LCP层间添加胶膜,在高频下由于LCP与胶膜之间的界面效应的影响会对器件性能产生不利影响的技术问题。本发明提出一种基于LCP的射频器件集成制造方法,采用LCP预结合后烧结的方式,减小了器件尺寸的变形,同时消除了界面效应,避免了高频下不同材料以及同种材料产生的界面效应,同时采用叠层制造工艺并将无源器件埋入,实现了高集成度的射频器件的低温集成一体化制造。
主权项:1.一种基于LCP的射频器件集成制造方法,其特征在于基于LCP的射频器件集成制造方法是按以下步骤进行的:一、分层处理:根据器件结构将器件进行分层处理,并对LCP表面进行清洁;二、逐层加工:根据步骤一分层后各层的形状,采用机械加工按照步骤一所得的外形轮廓、内部通孔、无源器件安置槽和有源器件安置槽进行加工;三、层间线路印刷及内部金属化:根据器件设计方案在LCP层间进行金属化工艺,在所埋置的无源器件间设置导电通路,根据设计需求在器件特定位置进行局部金属化工艺;四、LCP叠放及无源器件通孔埋入填充:将印制好导电通路的LCP层进行叠放,同时根据设计将对应的无源器件和有源器件填入到对应的安置槽中,并对各层通孔进行填埋以形成导电通路;叠放器件的底层与顶层放置承接膜;LCP层叠放与无源器件和有源器件的埋入以及通孔填埋同时进行,在叠放LCP层的同时将器件埋入对应层中,同时将通孔填埋,当一层的操作全部完成后继续叠放下一层;五、LCP预粘合:将叠放好的LCP在1MPa的压力下在低温下加热使LCP层间产生一定的结合力;所述的低温温度为低于所使用LCP材料的熔融温度100℃~30℃;六、LCP层间界面消除:将步骤五所得的器件放入高温中进行加热使之完成粘合,消除层间界面,高温烧结期间器件上不施加压力;所述的高温温度为高于所使用LCP材料的熔融温度0~50℃;七:外层金属化:根据器件设计,在外层指定位置进行金属化。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 天津大学 一种基于LCP的射频器件集成制造方法
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