龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开一种基于SOI的长距离硅波导释放加工方法，应用于MOEMS传感器领域，针对现有释放加工技术中存在的HF气体通过硅波导两侧凹槽把下方的SiO2层也腐蚀掉，硅波导由于没有支撑而发生塌断，从而导致加工失败的问题；本发明利用氟化镁强抗氟化氢气体腐蚀的特性，采用一系列微纳加工工艺实现对集成长距离硅波导区域的保护，极大提高了硅波导加工成功率，避免了在长距离硅波导释放加工中非常容易出现的硅波导塌断、偏移、弯曲等加工缺陷。
主权项：1.一种基于SOI的长距离硅波导释放加工方法，其特征在于，包括：A1、在SOI晶圆顶层硅上刻蚀若干集成长距离硅波导的微光机电系统传感器件；A2、对经步骤A1处理后的SOI晶圆进行切割，得到包括数个器件的芯片单元；A3、测量芯片单元结构尺寸，并根据测量数据加工光刻板；A4、清洁芯片单元，并在清洁后的芯片单元顶层硅上面全覆盖光刻胶；A5、使用光刻板对芯片单元上硅波导区域进行显影，去除硅波导区域上面覆盖的光刻胶；A6、利用光学镀膜机在经步骤A5处理后的芯片单元表面生长MgF2薄膜；A7、将经步骤A6处理后的芯片单元在丙酮溶液中浸泡，以剥离步骤A5中未显影区域的光刻胶及其上面的MgF2薄膜，露出微光机电系统器件及硅波导边缘；A8、使用HF气体透过微光机电系统结构上的腐蚀孔去除其下方的SiO2层，使微光机电系统结构悬空以便于其谐振。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种基于SOI的长距离硅波导释放加工方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号