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申请/专利权人：南开大学深圳研究院;南开大学
摘要：本发明为一种基于石墨烯全氟酞菁铜的突触晶体管及其制备方法。该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、功能层、源漏电极和离子胶栅介电层；所述功能层为石墨烯全氟酞菁铜薄膜，厚度为2.5～25nm；其中，石墨烯薄膜厚度为0.5～5nm，全氟酞菁铜薄膜厚度为2～20nm。本发明制备的石墨烯全氟酞菁铜突触晶体管，通过切换栅极施加的突触前脉冲刺激的正负极性，改变沟道中传输的载流子类型电子或空穴，可以实现短程长程可塑性的快速切换。
主权项：1.一种基于石墨烯全氟酞菁铜的突触晶体管，其特征为该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、功能层、源漏电极和离子胶栅介电层；其中，衬底为玻璃、SiSiO2、PEN或PET衬底；所述功能层为石墨烯全氟酞菁铜薄膜，厚度为2.5～25nm；其中，石墨烯薄膜厚度为0.5～5nm；所述源漏电极为蒸镀的金属电极，金属为金、铜或银，厚度为40～80nm；所述离子胶栅介电层的材质为[PVDF-HFP][EMIM-TFSI]，厚度为100～500μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南开大学深圳研究院 南开大学 一种基于石墨烯/全氟酞菁铜的突触晶体管及其制备方法
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