龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明属于太阳能光伏电池技术领域，具体为一种双金属‑绝缘体‑半导体结构太阳电池及其制备方法。本发明的太阳电池结构从上到下依次为：上电极、第一绝缘层或半绝缘层、第一发射层或者吸收层、I型半导体或绝缘层、第二吸收层或者发射层、第二绝缘层或半绝缘层、下电极；本发明通过改变退火温度调节上电极、第一绝缘层或半绝缘层、第一发射层或者吸收层之间的界面接触势垒、以及第二吸收层或者发射层、第二绝缘层或半绝缘层、下电极之间的界面接触势垒；所述界面接触势垒为60％～100％Eg～0.4eV的时候其中Eg为P型或N型半导体材料的带隙，可以显著减少太阳电池的二极管理想因子损失。
主权项：1.一种双MIS结构的太阳电池，其特征在于，结构从上到下依次为：上电极1、第一绝缘层或半绝缘层2、第一发射层或者吸收层3、I型半导体或绝缘层4、第二吸收层或者发射层5、第二绝缘层或半绝缘层6、下电极7；其中：所述上电极1、下电极7的厚度分别为50nm～5μm；所述第一绝缘层或半绝缘层2，第二绝缘层或半绝缘层6厚度分别为0.3nm～30nm；所述第一发射层或者吸收层3，作为发射层时厚度为50nm～800nm，作为吸收层时厚度为1000nm～500μm；所述I型半导体或绝缘层4的厚度为0.1nm～20nm；所述第二吸收层或者发射层5，作为吸收层时厚度为1000nm～500μm，作为发射层时厚度为50nm～800nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种双金属-绝缘体-半导体结构太阳电池及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号