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申请/专利权人：无锡恒大电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种制备半导体工艺混合气体的气源设备，包括外罐体和内罐体，所述外罐体的内部设置有内罐体，所述内罐体的内部储存有混合有毒气体，所述外罐体和内罐体之间储存混合无毒气体，所述外罐体的外侧设置有固定架，所述固定架的内部设置有控制组件；当气源设备受到外界的影响导致内部的压力进行增大时，内罐体内部以及内罐体和外罐体之间的气压会出现增大的现象，当气压增大幅度较小时，气体会打开调控组件，从而是的气体进入到储气结构的内部，进而平衡装置内的气压，避免装置发生爆炸的现象，当气压进一步增大时，气体会推动控制组件发生移动，从而使得气体出现流出的现象，避免装置出现爆炸。
主权项：1.一种制备半导体工艺混合气体的气源设备，包括外罐体1和内罐体2，其特征在于：所述外罐体1的内部设置有内罐体2，所述内罐体2的内部储存有混合有毒气体，所述外罐体1和内罐体2之间储存混合无毒气体，所述外罐体1的外侧设置有固定架3，所述固定架3的内部设置有控制组件，所述固定架3的侧面设置有固定管11，所述固定管11的内部设置有封闭栓12，所述封闭栓12的内部设置有控制阀13，所述封闭栓12的内侧设置有第一橡胶环14，所述外罐体1和内罐体2的侧面设置有调控组件，所述所述外罐体1的外侧设置有储气结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡恒大电子科技有限公司 一种制备半导体工艺混合气体的气源设备
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