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申请/专利权人：无锡舜铭存储科技有限公司
摘要：一种FRAM存储器器件可以包括多个FRAM存储器单元，每个FRAM存储单元包括一个晶体管和电耦合到所述至少一个晶体管的一个电容器。电容器可以被配置为存储数据位。存储器器件还可以包括局部位线，所述局部位线被配置为输送要被写入到所述多存储器单元中的数据。存储器器件可以进一步包括全局位线，全局位线被配置为与局部位线通信以输送要被写入到多个存储器单元的数据。存储器器件可以附加地包括局部感测放大器，所述局部感测放大器被配置为基于参考信号放大来自全局位线的信号且将经放大的信号传送到局部位线。该局部感测放大器被配置成基于与所述参考信号的比较生成放大的信号。
主权项：1.一种存储器器件，包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括至少一个晶体管和电耦合到所述至少一个晶体管的一个电容器，其中所述电容器被配置为存储数据位；局部位线，被配置为输送要从所述多个存储器单元读取或写入到所述多个存储器单元的数据；全局位线，被配置为与所述局部位线通信以输送要从所述多个存储器单元读取或写入到所述多个存储器单元的数据，其中所述局部位线连接到所述多个存储器单元的第一存储器单元集合；局部感测放大器，被配置为基于参考信号放大所述局部位线中的信号并且将放大的信号传送到所述全局位线或从所述全局位线传送放大的信号；以及缓冲器或放大器，被配置成参考电压源以提供所述参考信号，其中所述参考电压源在参考信号侧设置有平衡电容器，所述平衡电容器被配置为平衡所述局部位线上的所述第一存储器单元集合的电容。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡舜铭存储科技有限公司 铁电存储器参考生成
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