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半导体缺陷根因分析方法及装置 

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申请/专利权人:深圳智现未来工业软件有限公司

摘要:本发明涉及半导体缺陷根因分析方法及装置,方法包括:获取半导体生产过程中的基础特征数据和对应的缺陷数据;所述基础特征数据至少包括以下之一:设备状态数据、配方数据、实时数据;基于所述基础特征进行特征融合,得到融合特征;所述融合特征包括交互特征,所述交互特征为至少两种基础特征之间的组合所确定的特征;以所述基础特征和所述融合特征作为样本特征,以所述缺陷数据作为标签,训练得到缺陷分类模型;使用SHAP分析工具对所述缺陷分类模型进行特征重要性分析,得到重要性排名靠前的若干目标特征,作为第一总体缺陷根因。

主权项:1.一种半导体缺陷根因分析方法,包括:获取半导体生产过程中的基础特征数据和对应的缺陷数据;所述基础特征数据至少包括以下之一:设备状态数据、配方数据、实时数据;基于所述基础特征进行特征融合,得到融合特征;所述融合特征包括交互特征,所述交互特征为至少两种基础特征之间的组合所确定的特征;以所述基础特征和所述融合特征作为样本特征,以所述缺陷数据作为标签,训练得到缺陷分类模型;使用SHAP分析工具对所述缺陷分类模型进行特征重要性分析,得到重要性排名靠前的若干目标特征,作为第一总体缺陷根因。

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权利要求:

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