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半导体氧化膜椭偏振幅传感装置及测量方法 

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申请/专利权人:韩国标准科学研究院

摘要:本发明的一实施例提供不使用需要复杂的驱动装置的旋转检光子或偏振调制装置而只测量满足p波和s波抗反射条件的半导体氧化膜和p波、s波的反射率就能够简便且高灵敏度地获得椭偏测量信号的半导体氧化膜椭偏振幅传感装置及测量方法。本发明的实施例的半导体氧化膜椭偏振幅传感装置包括:微流路结构单元,包括:支撑台,介电体薄膜,形成在支撑台之上形成的衬底之上,盖部,设置在支撑台之上,且在其一侧和另一侧分别具有入射窗和反射窗,以及微流路,是通过盖部和支撑台结合而形成的流路;样品注入部,用于向微流路注入含有生物材料的样品的缓冲溶液,以使在介电体薄膜上形成样品的吸附层;偏振发生部,以使偏振的入射光穿过入射窗以满足p波或s波抗反射条件的入射角θ照射至吸附层;以及偏振检测部,用于将被吸附层反射并穿过反射窗的反射光分离为p波和s波的反射率并进行测量,以检测出椭偏测量振幅角。

主权项:1.一种半导体氧化膜椭偏振幅传感装置,其特征在于,包括:微流路结构单元,包括:支撑台,介电体薄膜,形成在所述支撑台之上形成的衬底之上,盖部,设置在所述支撑台之上,且在其一侧和另一侧分别具有入射窗和反射窗,以及微流路,是通过所述盖部和所述支撑台结合而形成的流路;样品注入部,用于向所述微流路注入含有生物材料的样品的缓冲溶液,以使在所述介电体薄膜上形成所述样品的吸附层;偏振发生部,以使偏振的入射光穿过所述入射窗以满足p波或s波抗反射条件的入射角θ照射至所述吸附层;以及偏振检测部,用于将被所述吸附层反射并穿过所述反射窗的反射光分离为p波和s波的反射率并进行测量,以检测出椭偏测量振幅角;所述偏振检测部具有:偏振分束单元,将所述反射光分离为偏振的2束光;以及光检测单元,检测所述2束光中的每一束光来获得规定的光学数据。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 韩国标准科学研究院 半导体氧化膜椭偏振幅传感装置及测量方法

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