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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种提高DSG加工硅片平坦度的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：通过NT计算逻辑寻找改善的方法，控制住像素内的PV值。第二步：线切割后的硅片形状控制。第三步：硅片DSG加工前处理，先用槽式洗净机清洗，消除硅片应力。第四步：左砂轮与载体环转动方向一致，右砂轮方向相反,砂轮与载体环转速比400030，并且调整研磨位置至左右气压计数值一致以及位移值，接着硅片进行DSG加工。五步：硅片DSG加工后处理，用黑田300tt测量硅片直径方向轮廓变化量，卡控特殊形貌PV值在5um以内。具有操作便捷和运行稳定性好的优点。解决了DSG后硅片的平坦度变量不稳定的问题。有效减少DSG加工造成的平坦度不良，实现平坦度参数的有效改善。
主权项：1.一种提高DSG加工硅片平坦度的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：通过NT计算逻辑寻找改善的方法，控制住像素内的PV值；第二步：线切割后的硅片形状控制，单批次线切割后硅片形状一致，整体形状呈现薯片状弯曲方向一致；第三步：硅片DSG加工前处理，先用槽式洗净机清洗，消除硅片应力；第四步：左砂轮与载体环转动方向一致，右砂轮方向相反,砂轮与载体环转速比400030，并且调整研磨位置至左右气压计数值一致以及位移值，接着硅片进行DSG加工；第五步：硅片DSG加工后处理，用黑田300tt测量硅片直径方向轮廓变化量，卡控特殊形貌PV值在5um以内。
全文数据：
权利要求：
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