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二极管集成式制造方法及集成式二极管 

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申请/专利权人:捷捷微电(南通)科技有限公司

摘要:本发明提出一种二极管集成式制造方法及集成式二极管,属于半导体技术领域,制造方法包括:在TMBS的外延衬底上划分TMBS区和TVS区,在TVS区上形成PN结,并在TVS区上形成TVS沟槽栅,在TMBS区上形成TMBS沟槽栅;在TMBS区形成绝缘层和层间介质层,并在TMBS区生成TMBS金属层,在TVS区生成TVS金属层,以得到第三中间晶圆;在第三中间晶圆上生长钝化层,并在钝化层上光刻出TMBS金属层和TVS金属层;在外延衬底的背面上形成背面金属层,以得到TMBS和TVS并联的集成式二极管。如此,TMBS和TVS集成在一块外延衬底上,大大地减少了衬底材料、工艺制程、封装及线材等成本。同时,实现一起封装,从而能够避免因单独封装接线而导致的应用失效风险,极大地降低应用失效风险。

主权项:1.一种二极管集成式制造方法,其特征在于,所述方法包括:在TMBS的外延衬底上划分TMBS区和TVS区,在所述TVS区上形成PN结,以得到第一中间晶圆;在所述第一中间晶圆的所述TVS区上形成TVS沟槽栅,在所述第一中间晶圆的所述TMBS区上形成TMBS沟槽栅,以得到第二中间晶圆;在所述第二中间晶圆的TMBS区形成绝缘层和层间介质层,并在所述TMBS区生成TMBS金属层,在所述TVS区生成TVS金属层,以得到第三中间晶圆;其中,所述层间介质层位于所述TMBS沟槽栅的终端沟槽上;在所述第三中间晶圆上生长钝化层,并在所述钝化层上光刻出所述TMBS金属层和所述TVS金属层;在所述外延衬底的背面上形成背面金属层,以得到TMBS和TVS并联的集成式二极管。

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权利要求:

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