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申请/专利权人：安徽禾臣新材料有限公司
摘要：本发明公开了一种减小光刻失真的IC芯片石英基板光刻工艺，涉及IC芯片光刻技术领域，为了解决光刻时图案精度不佳的问题。本发明通过使用PSM技术对光刻图案进行相移设计，能够进一步增强光刻图形的对比度，减少光刻过程中的光晕效应，使得图案的边缘更加清晰和锐利，有助于实现更小的线宽和更高的图案密度，在相移图案设计中，通过添加辅助图形、精确控制相移区域的位置和大小，以及设定合理的相位移位值，可以进一步优化光刻效果。
主权项：1.一种减小光刻失真的IC芯片石英基板光刻工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1：石英基板光刻设备确认：IC芯片石英基板进行光刻之前先将光刻设备进行准备和检测；S2：光刻设备光学优化：将检测完成的光刻设备，根据设备特性进行光学优化调整；S3：光刻掩模设计：光刻设备进行光学优化调整后，将调整完成的光刻设备进行掩模设计；S4：环境温控：掩模设计完成后将光刻设备进行温控；S5：石英基板光刻监控：温控后将IC芯片石英基板进行光刻，再光刻过程中实时监测光刻质量，并建立反馈机制。
全文数据：
权利要求：
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