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申请/专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种制冷红外探测器及其芯片的制备方法，属于半导体制造技术领域，该制冷红外探测器芯片的制备方法，包括以下步骤：提供基片，在所述基片上形成钝化层，刻蚀所述钝化层的表面以形成开口，且所述开口的底部至少部分地延伸至所述基片中；在所述开口的内壁以及所述开口周围部分的所述钝化层的顶部淀积金属材料，以形成金属电极，在所述金属电极中淀积介质材料形成铟柱，所述铟柱的顶部具有凹陷。通过形成底部延伸至基片中的开口，从而改善铟柱的高度以及互连时的牢固度，配合开口形状，直接形成铟柱顶部具有凹陷，有助于后续进行倒焊互连。
主权项：1.一种制冷红外探测器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基片，在所述基片上形成钝化层，刻蚀所述钝化层的表面以形成开口，且所述开口的底部至少部分地延伸至所述基片中；在所述开口的内壁以及所述开口周围部分的所述钝化层的顶部淀积金属材料，以形成金属电极，在所述金属电极中淀积介质材料形成铟柱，所述铟柱的顶部具有凹陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江珏芯微电子有限公司 制冷红外探测器及其芯片的制备方法
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