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申请/专利权人：四川永星电子有限公司
摘要：本发明公开了一种LVDT线圈结构，包括绕线管和同轴套设在绕线管外部的绕线骨架，绕线管两端同轴且对称设置绝缘体，绝缘体内壁与绕线管外壁连接，外壁与绕线骨架连接，绕线骨架、绕线管与绝缘体形成环形空腔，绕线管位于环形空腔的外壁上绕制初级线圈，初级线圈以绕线管轴向中心对称分布，且绕制线圈匝数由外向内阶梯递减，绕线骨架外表面绕制次级线圈，绕线骨架作为绝缘层，可以阻止磁力线直接通过初级线圈到达次级线圈，可以有效的减少磁路的饱和现象，同时增加初级两端非线性区域的线圈匝数，会让传感器两端非线性区域的磁场强度增加，进而增加次级线圈的磁通量，增大传感器非线性区域的磁感应电动势，实现LVDT传感器的线性范围的增大。
主权项：1.一种LVDT线圈结构，其特征在于，包括绕线管和同轴套设在绕线管外部的绕线骨架，所述绕线管两端同轴且对称设置绝缘体，所述绝缘体内壁与绕线管外壁连接，所述绝缘体外壁与绕线骨架连接，所述绕线骨架、绕线管与绝缘体形成环形空腔，所述绕线管位于环形空腔的外壁上绕制初级线圈，所述初级线圈以绕线管轴向中心对称分布，且绕制线圈匝数由外向内阶梯递减，所述绕线骨架外表面绕制次级线圈，所述环形空腔沿着绕线管轴线方向两端对称设置线性端盖，所述线性端盖同轴套接在绕线管上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川永星电子有限公司 一种LVDT线圈结构
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