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申请/专利权人：杭州星原驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种晶圆自然氧化层刻蚀设备，包括机架、特气柜组件、上腔组件、下腔组件、基座升降组件、等离子发生器和控制组件，所述特气柜组件和控制组件均固定在机架上，所述下腔组件通过可调节螺栓固定在机架上，所述上腔组件通过转轴连接在下腔组件上部，所述基座升降组件连接在下腔组件下部，所述等离子发生器安装在上腔组件的上部，解决了普通高能离子轰击晶圆损伤大影响后续沉积薄膜的质量的问题。
主权项：1.一种晶圆自然氧化层刻蚀设备，包括机架1、特气柜组件2、上腔组件3、下腔组件4、基座升降组件5、等离子发生器6和控制组件7，其特征在于，所述特气柜组件2和控制组件7均固定在机架1上，所述下腔组件4通过可调节螺栓固定在机架1上，所述上腔组件3通过转轴连接在下腔组件4上部，所述基座升降组件5连接在下腔组件4下部，所述等离子发生器6安装在上腔组件3的上部；所述上腔组件3包括连接通道31、上盖32、第一喷淋盘33、第二喷淋盘34、加热环35、上铰链36和下盖37，所述连接通道31的上端与等离子发生器6相连接，所述连接通道31的下端与上盖32相连接，所述第一喷淋盘33设置在上盖32和下盖37之间，所述加热环35设置在第二喷淋盘34内部，所述加热环35为环形结构，所述第二喷淋盘34安装在下盖37下方，所述上铰链36安装在下盖37的侧方，所述第一喷淋盘33和第二喷淋盘34均为圆盘状，所述第一喷淋盘33和第二喷淋盘34上均开有细孔，所述第一喷淋盘33的厚度中间部位加厚向边缘逐渐变薄，所述第二喷淋盘34的厚度一致；所述下腔组件4包括下腔体41、下铰链42、调节支座43、气体管路44、抽气汇流块45、排气管路46，所述调节支座43安装在机架1上，所述下腔体41的下端通过所述调节支座43安装在机架1上，所述下铰链42安装在下腔体41上，所述下铰链42与上铰链36通过销轴实现连接，所述气体管路44设置在下腔体41内部，所述抽气汇流块45安装在下腔体41下方，所述抽气汇流块45的下端设有两个安装部，一个所述安装部与排气管路46连接，另一个所述安装部与基座升降组件5进行连接。
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