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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种增强体二极管续流能力的MOSFET及其制备方法。涉半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片内制备相互间隔的第一重掺杂体区；步骤S200，在外延片内制备第二重掺杂源区；步骤S300，在外延片内制备栅极沟槽；步骤S400，在沟槽内依次制备栅介质和多晶硅；步骤S500，在外延片上沉积隔离层，开窗制备源极沟槽，源极沟槽底部延伸至第一重掺杂体区内部，沟槽宽度大于第一重掺杂体区的间隔宽度；步骤S600，在源极沟槽底部制备肖特基接触金属，与第二轻掺杂耐压区形成肖特基接触，肖特基接触金属上表面低于第二重掺杂源区下表面；本发明有利于商业化进程的推进，具备更高的商业价值。
主权项：1.一种增强体二极管续流能力的MOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，在外延片（1）内制备相互间隔的第一重掺杂体区（2）；步骤S200，在外延片（1）内制备第二重掺杂源区（3）；步骤S300，在外延片（1）内制备栅极沟槽（4）；步骤S400，在沟槽（4）内依次制备栅介质（5）和多晶硅（6）；步骤S500，在外延片（1）上沉积隔离层（7），开窗制备源极沟槽（8），源极沟槽（8）底部延伸至第一重掺杂体区（2）内部，沟槽宽度大于第一重掺杂体区（2）的间隔宽度；步骤S600，在源极沟槽（8）底部制备肖特基接触金属（9），与第二轻掺杂耐压区（15）形成肖特基接触，肖特基接触金属（9）上表面低于第二重掺杂源区（3）下表面；步骤S700，在源极沟槽（8）内制备欧姆接触金属（10），与第一重掺杂体区（2）和第二重掺杂源区（3）形成欧姆接触，源极槽内欧姆接触金属（10）和肖特基接触金属（9）共同组成源极金属；步骤S800，在栅极沟槽（4）处开窗，制备栅极金属（12），在外延片（1）背面制备漏极金属（13），整个器件制备完毕。
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