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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开了一种硅碳复合物的电化学制备方法及制备的硅碳复合物，属于有色金属冶金技术领域。硅碳复合物的制备方法为：硅源和碳源混合反应得到电解前驱体；电解前驱体压片后在保护气氛下煅烧得到电解阴极片；以石墨为阳极、电解阴极片为阴极，含有氯化镁的碱金属氯化物为电解质，保护气氛下电解得到碳硅复合物；当槽电压大于氯化镁的理论分解电压时，氯化镁分解生成氧化镁，阻碍石墨和硅的结合，生成SiCC；当槽电压小于氯化镁的理论分解电压时，碳和硅结合生成SiC，以及槽电压大于氯化镁的理论分解电压时，氯化镁分解生成的氧化镁无法阻碍石墨和硅的结合，生成SiC。本发明利用电化学方法在熔融盐中定向生成SiC、SiCC。
主权项：1.一种硅碳复合物的电化学制备方法，其特征在于，包括以下步骤：硅源和碳源混合反应得到电解前驱体；电解前驱体压片后在保护气氛下650-850℃煅烧得到电解阴极片；电解阴极片中的硅和碳的摩尔比为1:1-2；以石墨为阳极、电解阴极片为阴极，含有氯化镁的碱金属氯化物为电解质，在保护气氛下进行电解得到碳硅复合物；当槽电压大于氯化镁的理论分解电压时，氯化镁分解原位生成氧化镁，阻碍石墨和硅的结合，生成SiCC；当2.7V≤槽电压≤2.8V，温度为600℃-1000℃，电解时间为4-9h时，制备得到SiCC；当槽电压小于氯化镁的理论分解电压时，碳和硅结合生成SiC，以及槽电压大于氯化镁的理论分解电压时，氯化镁分解原位生成的氧化镁无法阻碍石墨和硅的结合，生成SiC；当2.4V≤槽电压＜2.7V，温度为600℃-1000℃，电解时间为4-24h，以及2.7V≤槽电压≤2.8V，温度为600℃-1000℃，电解时间大于9h时，制备得到的硅碳复合物为SiC。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种硅碳复合物的电化学制备方法及制备的硅碳复合物
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