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申请/专利权人：四川中久防务科技有限公司

摘要：本发明提供一种基于MEMS工艺的3dB电桥的生产方法，涉及波导器件领域，包括：基于待生产的3dB电桥的结构信息，建立待生产的3dB电桥的三维模型，进行有限元分析，求解待生产的3dB电桥在多种工作条件下的温度场分布，进而确定多种温控方案；基于温控方案调整待生产的3dB电桥的三维模型，获取调整后的待生产的3dB电桥的三维模型，计算调整后的待生产的3dB电桥的三维模型在多种性能指标的得分；基于每个调整后的待生产的3dB电桥的三维模型在多种性能指标的得分，确定最优温控方案，进而确定MEMS加工流程，制造工艺生产3dB电桥，具有在温度变化较大的环境中，减小3dB电桥可能受到热应力的影响的优点。

主权项：1.一种基于MEMS工艺的3dB电桥的生产方法，其特征在于，用于生产一种基于MEMS工艺的3dB电桥，包括腔体及设置在所述腔体内的基板，所述基板上设置有输入端口、0°输出端口、90°输出端口和隔离端口，所述基板上还设置有第一微带线和第二微带线，所述第一微带线的两端分别与所述输入端口和所述0°输出端口连接，所述第二微带线的两端分别与所述90°输出端口和所述隔离端口连接，所述第一微带线刻蚀在所述基板的中间层的上表面，所述第二微带线刻蚀在所述基板的中间层的下表面，所述第一微带线和所述第二微带线关于所述基板的中心对称，所述第一微带线包括第一端耦合段、第二端耦合段及中间耦合段；所述基板还设置有多个温控组件，所述多个温控组件基于MEMS工艺设置在所述基板上，其中，每个所述温控组件包括至少一个帕尔贴元件；所述一种基于MEMS工艺的3dB电桥的生产方法包括：获取待生产的3dB电桥的结构信息；基于所述待生产的3dB电桥的结构信息，建立所述待生产的3dB电桥的三维模型；基于所述待生产的3dB电桥的三维模型，进行有限元分析，求解所述待生产的3dB电桥在多种工作条件下的温度场分布；基于所述待生产的3dB电桥在多种工作条件下的温度场分布，确定多种温控方案；对于每种温控方案，基于所述温控方案调整所述待生产的3dB电桥的三维模型，获取调整后的待生产的3dB电桥的三维模型；对于每个所述调整后的待生产的3dB电桥的三维模型，计算所述调整后的待生产的3dB电桥的三维模型在多种性能指标的得分；基于每个所述调整后的待生产的3dB电桥的三维模型在多种性能指标的得分，从所述多种温控方案中确定最优温控方案；基于所述最优温控方案对应的调整后的待生产的3dB电桥的三维模型，确定MEMS加工流程；基于所述MEMS加工流程，基于MEMS制造工艺生产3dB电桥；其中，基于所述待生产的3dB电桥的三维模型，进行有限元分析，求解所述待生产的3dB电桥在多种工作条件下的温度场分布，包括：将所述待生产的3dB电桥的三维模型均分为多个第一区域；对于每个所述第一区域，基于所述第一区域的结构信息，确定所述第一区域的发热概率；基于每个所述第一区域的发热概率，对所述多个第一区域进行聚类，确定多个第二区域；对于每个所述第二区域，基于所述第二区域包括的每个所述第一区域的发热概率，确定所述第二区域对应的网格大小；基于每个所述第二区域对应的网格大小，将所述待生产的3dB电桥的三维模型划分为多个有限元单元；基于所述多个有限元单元，求解所述待生产的3dB电桥在多种工作条件下的温度场分布。

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