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申请/专利权人:爱思开海力士有限公司
摘要:包括具有中介桥的层叠子封装的半导体封装。一种半导体封装包括在互连层上的第一子封装。第二子封装和第三子封装依次层叠在第一子封装上。第一至第三子封装中的每一个包括半导体芯片和中介桥。中介桥包括第一通孔和第二通孔。第二子封装还包括将第二子封装的半导体芯片电连接到第一通孔的第一再分布线。第三子封装还包括将第三子封装的半导体芯片电连接到第二通孔的第二再分布线。
主权项:1.一种半导体封装,该半导体封装包括:互连层;在所述互连层上的第一子封装;以及依次层叠在所述第一子封装上的第二子封装和第三子封装,其中,所述第一子封装包括:第一半导体芯片;以及第一中介桥,该第一中介桥与所述第一半导体芯片间隔开并且被配置为包括第一层通孔,其中,所述互连层包括:介电层;第一水平互连图案,该第一水平互连图案设置在所述介电层中以将所述第一层通孔中的第一通孔电连接到所述第一半导体芯片;以及第二水平互连图案,该第二水平互连图案设置在所述介电层中以将所述第一层通孔中的第二通孔电连接到所述第一半导体芯片;其中,所述第二子封装包括:第二半导体芯片;第二中介桥,该第二中介桥与所述第二半导体芯片间隔开并且被配置为包括第二层通孔,所述第二层通孔与所述第一层通孔中的相应通孔交叠并且电连接到所述第一层通孔中的所述相应通孔;以及第一再分布线,该第一再分布线将所述第二半导体芯片电连接到所述第二层通孔中的第一通孔,所述第二层通孔中的所述第一通孔电连接到所述第一层通孔中的所述第一通孔,并且其中,所述第三子封装包括:第三半导体芯片;第三中介桥,该第三中介桥与所述第三半导体芯片间隔开并且被配置为包括第三层通孔,所述第三层通孔与所述第二层通孔中的相应通孔交叠并且电连接到所述第二层通孔中的所述相应通孔;以及第二再分布线,该第二再分布线将所述第三半导体芯片电连接到所述第三层通孔中的第二通孔,所述第三层通孔中的所述第二通孔电连接到所述第一层通孔中的所述第二通孔。
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