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申请/专利权人：西安交通大学;绍兴市通越宽禁带半导体研究院
摘要：本发明公开了一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块，碳化硅芯片的上表面通过高导热垫块连接，主体为高导热绝缘材料的高导热垫块具有超出碳化硅功率芯片的面积，将芯片所产生的热量向上扩散至更大的面积，从而大幅提高了双面散热碳化硅功率模块的散热能力，有效降低了碳化硅芯片的最高温度与温度波动。
主权项：1.一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块，其特征在于，包括功率衬底100，功率衬底100内设置有碳化硅功率半导体芯片300，碳化硅功率半导体芯片300的上表面和下表面分别通过上桥臂高导热垫块400和下桥臂高导热垫块500连接功率衬底100对应的导电金属区域，功率衬底100对应的导电金属区域分别连接有引出端子；上桥臂高导热垫块400和下桥臂高导热垫块500的面积大于碳化硅功率半导体芯片300的面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 绍兴市通越宽禁带半导体研究院 一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块
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