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申请/专利权人：广东工业大学
摘要：本发明公开了一种MOSFET功率器件寄生参数的解构方法及计算机设备，涉及电力电子技术领域；MOSFET功率器件寄生参数的解构方法包括以下步骤：获取待测功率器件的物理结构，根据所述物理结构确定所述功率器件的等效电路；根据所述等效电路，确定待测功率器件的输入电压和输出电压的理论传递函数；获取待测功率器件的输入电压和输出电压的实测数据；根据理论传递函数和实测数据，利用最小二乘法计算得到待测功率器件的实际传递函数；根据理论传递函数和实际传递函数计算得到待测功率器件的寄生参数。本发明提出的方法能更加准确地表现功率器件实际电路中寄生参数的特性，并利用最小二乘法原理减小了求解寄生参数的误差。
主权项：1.一种MOSFET功率器件寄生参数的解构方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，获取待测功率器件的物理结构，根据所述物理结构确定所述功率器件的等效电路；S2，根据所述等效电路，确定待测功率器件的输入电压和输出电压的理论传递函数；S3，获取待测功率器件的输入电压和输出电压的实测数据；S4，根据所述理论传递函数和所述实测数据，利用最小二乘法计算得到待测功率器件的实际传递函数；S5，根据所述理论传递函数和所述实际传递函数计算得到待测功率器件的寄生参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东工业大学 MOSFET功率器件寄生参数的解构方法及计算机设备
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