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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明公开一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法。该三维视觉神经形态忆阻器包括：衬底；下部阻挡层，形成在所述衬底上；第一电极，形成在所述下部阻挡层上；上部阻挡层，形成在所述第一电极上；凹槽结构，贯穿所述上部阻挡层、所述第一电极和所述下部阻挡层，使部分硅衬底表面露出；忆阻功能层，其为氧化物异质结，形成在上述器件结构上；第二电极，其为透明电极，形成在所述凹槽结构中，通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能。
主权项：1.一种三维视觉神经形态忆阻器，其特征在于，包括：衬底；下部阻挡层，形成在所述衬底上；第一电极，形成在所述下部阻挡层上；上部阻挡层，形成在所述第一电极上；凹槽结构，贯穿所述上部阻挡层、所述第一电极和所述下部阻挡层，使部分硅衬底表面露出；具有光电响应的忆阻功能层，其为两层氧化物组成的异质结，形成在所述上部阻挡层和所述凹槽结构上；第二电极，其为透明电极，形成在所述凹槽结构中，通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能，所述忆阻功能层的两层氧化物为ZnO，NiO，Ta2O5，InO2，SnO2，Al2O3之间任意两者的组合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法
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