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一种ITO平面靶及其烧结方法和烧结装置 

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申请/专利权人:先导薄膜材料(广东)有限公司

摘要:本发明属于ITO靶材领域,具体公开一种ITO平面靶及其烧结方法和烧结装置。本发明的烧结方法中,将ITO平面靶靶坯在适合其尺寸大小的密闭空间内进行烧结,该空间内温度和气体分布更加均匀,可提升靶材的密度和降低靶材的翘曲度。同时本发明的烧结方法在密闭结构内进行,杜绝了氧气流出,使得氧分压满足抑制靶材挥发的条件后,不需要再通入氧气,大大降低了在烧结过程中的氧气浪费,总体烧结过程所需的耗氧量极低。

主权项:1.一种ITO平面靶的烧结方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将ITO平面靶靶坯置于烧结装置中进行脱脂;(2)在烧结装置中设置密封结构,使脱脂后的ITO平面靶靶坯处于密封结构中,所述密封结构包括氧分压测试探头和氧气注入通道;然后采用1-5℃min的升温速率升温至600~800℃并保温,在保温过程中通过氧气注入通道通入氧气,当氧分压值达到30%~90%时,停止通入氧气,并且结束该温度的保温;再升温至烧结温度进行烧结,烧结结束后降温至室温,得到ITO平面靶;所述密封结构通过如下方式设置:在烧结装置中的烧结承重板上设凹槽,在凹槽中撒上深度大于25mm的沙层,然后将密封罩嵌入烧结承重板的凹槽中,使密封罩在凹槽的沙层中的插入深度为20~30mm,使得脱脂后的ITO平面靶靶坯处于密闭空间内;所述密封罩包括至少两个连接口,其中一个连接口用来连接氧气注入通道,另一个连接口用来连接氧分压测试探头;所述氧气注入通道为螺旋状的气体注入管道,螺旋直径为30~100mm,螺旋圈数量为5~20个,注入管道口的直径为5~20mm。

全文数据:

权利要求:

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