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申请/专利权人：芯潮涌半导体(上海)有限公司
摘要：本发明涉及一种低功耗耐高压的快响应偏置电路、偏置方法及芯片，包括耐压模块、钳位电路及偏置输出端；所述耐压模块的输出端分别连接所述偏置输出端及所述钳位电路的输入端；所述耐压模块包括预设数量的耐压基本单元，用于调节偏置电路的耐压范围；所述钳位电路用于使所述钳位电路的输入端与所述钳位电路的输出端之间的压差稳定。本发明的偏置输出响应快速，并能合理控制静态功耗，减小电路复杂度，提高偏置电路的灵活性和电路稳定性。
主权项：1.一种低功耗耐高压的快响应偏置电路，其特征在于，包括耐压模块、钳位电路及偏置输出端；所述耐压模块的输入端与外部电源相连，输出端分别连接所述偏置输出端及所述钳位电路的输入端；所述耐压模块包括预设数量的耐压基本单元，用于调节偏置电路的耐压范围；所述预设数量与所述耐压范围之间的关系为：U＝K×n；其中U为最大电压值，K为常数，n为预设数量且n为大于等于1的整数；所述耐压基本单元包括隔离环、NMOS管及第一二极管，所述NMOS管由所述隔离环围绕，漏极分别与所述第一二极管的负端及所述隔离环相连；所述NMOS管的源极、栅极和体端相连，并连接所述第一二极管的正端；首个所述耐压基本单元中NMOS管的漏极连接所述耐压模块的输入端，末个所述耐压基本单元中NMOS管的体端连接所述耐压模块的输出端；当前个所述耐压基本单元中NMOS管的体端与后一个所述耐压基本单元中NMOS管的漏极相连；相邻的所述耐压基本单元之间串联第一电阻；所述耐压基本单元中的NMOS管为低压耗尽型管，长度为10μm-20μm；宽度为220nm-5μm；所述第一二极管为齐纳二极管；所述钳位电路用于使所述钳位电路的输入端与所述钳位电路的输出端之间的压差稳定。
全文数据：
权利要求：
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