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摘要：本发明公开了一种半导体器件及其扩散方法，其中，该半导体器件的扩散方法包括：将半导体器件送入至炉管内；关闭炉管，向炉管注入温室气体；炉管升温至预设温度并在到达预设温度后保持恒温；停止注入温室气体；炉管抽真空至预设压力；半导体器件在炉管内反应；半导体器件反应完成后，炉管降温，注入温室气体，以恢复至常压；将半导体器件送出炉管；关闭炉管，向炉管内注入温室气体进行保温。通过在反应炉内注入温室气体，由于温室气体的作用，将半导体器件送入和取出反应炉时，减少反应炉口的温降，保证炉管及炉管内的装置热涨冷缩小，附着在炉管及炉管内的装置的粉尘或结晶体等杂质，不会因热胀冷缩而脱落。
主权项：1.一种半导体器件的扩散方法，其特征在于，包括：将半导体器件送入至炉管内；关闭炉管，向炉管注入温室气体；炉管升温至预设温度并在到达预设温度后保持恒温；停止注入温室气体；炉管抽真空至预设压力；半导体器件在炉管内反应；半导体器件反应完成后，炉管降温，注入温室气体，以恢复至常压；将半导体器件送出炉管；关闭炉管，向炉管内注入温室气体进行保温。
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