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摘要：本发明涉及压力传感器相关技术领域，具体为一种防振动的单晶硅差压传感器，套管的内部镶嵌有烧结底座；在烧结底座上方的套管的上端口铺设有绝缘垫板；烧结底座上插接有充油管；凹槽内固定安装有陶瓷垫；陶瓷垫的正下方安装有钎焊座；在钎焊座下方的连接管内部填充有隔热棉；基座的内部布置有上下两层的导压机构；导压机构包括上导压管和下导压管；上导压管和下导压管的上下两侧之间通过导管相互连通并向上贯穿台座；台座通过管路贯通连接到烧结底座下方的凹槽；烧结底座下方的凹槽的顶部设置有上通道并连通到充油管的下端部；本发明能够提供一种整体温度一致性且可提高产品抗振动性的防振动的单晶硅差压传感器。

主权项：1.一种防振动的单晶硅差压传感器，其特征在于：包括基座（1）、连接管（2）、套管（3）、烧结底座（4）、充油管（7）、钎焊座（9）、陶瓷垫（10）、芯片（11）、隔热棉（13）、上导压管（14）、左隔离膜片（15）、右隔离膜片（16）、中心膜片（17）、上通道（18）、台座（19）、下导压管（20）；所述基座（1）的上表面对称嵌入安装有台座（19）；所述基座（1）的上部竖向连接有连接管（2）；所述连接管（2）的内侧壁套接有套管（3）；所述套管（3）的内部镶嵌有烧结底座（4）；在所述烧结底座（4）上方的套管（3）的上端口铺设有绝缘垫板（5）；所述烧结底座（4）上插接有充油管（7）；所述烧结底座（4）的下方开设有凹槽；所述凹槽内固定安装有陶瓷垫（10）；所述陶瓷垫（10）的正下方安装有钎焊座（9）；在所述钎焊座（9）下方的所述连接管（2）内部填充有隔热棉（13）；所述基座（1）的内部布置有上下两层的导压机构；所述导压机构包括上导压管（14）和下导压管（20）；所述上导压管（14）和下导压管（20）的上下两侧之间通过导管相互连通并向上贯穿所述台座（19）；所述台座（19）通过管路贯通连接到所述烧结底座（4）下方的凹槽；所述陶瓷垫（10）上固定安装有芯片（11）；所述芯片（11）为压力传感芯片；所述烧结底座（4）下方的凹槽的顶部设置有上通道（18）并连通到所述充油管（7）的下端部；所述基座（1）的内部中央设置有中心膜片（17）；所述基座（1）的左侧连接有左隔离膜片（15）；所述基座（1）的右侧连接有右隔离膜片（16）。

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