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摘要：本发明提供了一种利用图案化蓝宝石衬底调控的高光电性能AlxGa1‑xN外延层制备方法，该制备方法的步骤为：采用金属有机化学气相沉积系统在c面蓝宝石衬底上生长AlxGa1‑xN外延层，分别以三甲基镓TMGa、三甲基铝TMAl和氨气NH3作为Ga、Al和N的生长源，高纯H2作为载气。将蓝宝石衬底在H2环境中热清洗，然后沉积一层薄的低温GaN成核层。再生长高温GaN模板和AlxGa1‑xN外延层。在AlxGa1‑xN的生长过程中，改变TMAl的流速和反应器的压力，从而生长不同Al含量的AlGaN外延层。
主权项：1.一种利用图案化蓝宝石衬底调控的高光电性能AlxGa1-xN外延层制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1制备图案化蓝宝石衬底；2在图案化蓝宝石衬底上外延生长低温GaN缓冲层；3在低温GaN缓冲层上外延生长高温GaN一次外延层；4在高温GaN一次外延层上外延生长AlxGa1-xN外延层。
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百度查询： 贺州学院 一种利用图案化蓝宝石衬底调控的高光电性能AlxGa1-xN外延层制备方法
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