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摘要：本公开提供了一种载流子增程的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：n型层、多量子阱层、p型层、n电极和p电极，n型层、多量子阱层和p型层依次层叠，p电极位于p型层的远离n型层的表面上，p型层的远离n型层的表面具有露出n型层的凹槽，n电极位于凹槽内，且与n型层相连；n型层和p型层中的至少一个具有隔断槽，隔断槽沿p型层至n型层的方向延伸，且隔断槽位于n电极和p电极之间，隔断槽的槽底至n型层的底面的距离小于凹槽的槽底至n型层的底面的距离。本公开实施例能加载流子的运行路程，提升发光二极管的发光均匀性。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：n型层21、多量子阱层22、p型层23、n电极41和p电极42，所述n型层21、所述多量子阱层22和所述p型层23依次层叠，所述p电极42位于所述p型层23的远离所述n型层21的表面上，所述p型层23的远离所述n型层21的表面具有露出所述n型层21的凹槽31，所述n电极41位于所述凹槽31内，且与所述n型层21相连；所述n型层21和所述p型层23中的至少一个具有隔断槽32，所述隔断槽32沿所述p型层23至所述n型层21的方向延伸，且所述隔断槽32位于所述n电极41和所述p电极42之间，所述隔断槽32的槽底至所述n型层21的底面的距离小于所述凹槽31的槽底至所述n型层21的底面的距离。
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百度查询： 京东方华灿光电(浙江)有限公司 载流子增程的发光二极管及其制备方法
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