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摘要：本发明涉及一种用于半导体装置的静电放电ESD保护装置，其包括栅极、源极以及漏极，所述源极包括具有多个源极接触点的硅化部，所述漏极包括具有多个漏极接触点的硅化部，其中所述源极以及所述漏极沿装置轴线远离所述栅极延伸。所述静电放电保护装置包括电阻保护氧化部，其个别地位于所述多个漏极接触点之间以及所述多个源极接触点之间的所述半导体装置上。
主权项：1.一种用于半导体装置的静电放电保护装置，所述静电放电保护装置具有栅极、源极以及漏极，所述源极包括硅化部，其具有多个源极接触点，所述漏极包括硅化部，其具有多个漏极接触点，其中所述源极以及所述漏极沿装置轴线远离所述栅极延伸，其特征在于，所述静电放电保护装置包括：电阻保护氧化部，位于所述半导体装置上，所述电阻保护氧化部并不覆盖所述半导体装置的所述栅极，其中所述电阻保护氧化部位于所述漏极且位于所述多个漏极接触点之间并与所述装置轴线垂直，以及所述电阻保护氧化部位于所述源极且位于所述多个源极接触点之间并与所述装置轴线垂直。
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