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摘要：本发明涉及一种复合光电材料，具体涉及一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用，包括如下步骤：S1：清洗导电衬底；S2：在步骤S1得到的清洗后的导电衬底上制备CdS薄膜；S3：配置氧硫族化合物浆料，并旋涂于步骤S2得到的CdS薄膜上并真空退火；S4：在步骤S3得到的复合薄膜上通过丝网印刷银浆作为背电极，得到所述的层状氧硫族化合物复合CdS光电材料，其结构从下到上依次为导电衬底、CdS薄膜、氧硫族化合物薄膜和Ag电极。与现有技术相比，本发明将层状氧硫族化合物复合CdS制备具有异质结构的薄膜光电材料，由于在异质界面处存在内建电势，可以有效抑制载流子复合，实现光电性能的大幅提升。
主权项：1.一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：清洗导电衬底；S2：在步骤S1得到的清洗后的导电衬底上制备CdS薄膜；S3：配置氧硫族化合物浆料，旋涂于步骤S2得到的CdS薄膜上并真空退火；步骤S3中：所述的氧硫族化合物浆料由氧硫族化合物和异丙醇组成，所述的氧硫族化合物为Bi9O7.5S6或FeOCuS，氧硫族化合物的质量浓度为0.3-0.7gmL；所述的旋涂的转速为700-2000rpm，时间为10-30s，浆料旋涂量为40-80µL；所述的真空退火为在-0.1MPa下，以1-2℃min的速率升温至200-250℃，煅烧1-2h，然后真空下冷却至室温；层状氧硫族化合物与CdS复合得到的光电薄膜材料具有异质结构，由于形成异质结构的两种材料具有不同的带隙宽度，因此在界面处会产生载流子的浓度差，进而会产生宽带隙的电子向窄带隙中扩散，窄带隙的空穴向宽带隙中扩散，因而在截面处会形成空间电荷区，即在异质界面处存在内建电势。
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