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摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种发光二极管芯片及其制备方法，本发明的发光二极管芯片包括氮化镓外延片；氮化镓外延片从下往上依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、UGaN层、N型掺杂的NGaN层、发光层、P型掺杂的PGaN层及欧姆接触层；发光层能发出四种不同峰值波长的蓝光，在400‑500nm内连续，与单峰蓝光相比相对发光强度大幅降低；并通过控制四种波峰间距变化以及发光强度，在驱动电流密度10Acm2～100Acm2下，主波长变化差值不超过3nm，半波宽大于30nm。本发明的光谱设计降低了驱动电流密度变化对发光二极管光谱波形的影响，使光谱相对于驱动电流变化具有良好的稳定性；用这种发光二极管芯片做成的灯珠白光光谱与太阳光类似，有利于提高显色指数Ra、饱和度Rg以及逼真度Rf。

主权项：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括氮化镓外延片；所述氮化镓外延片从下往上依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、UGaN层、N型掺杂的NGaN层、发光层、P型掺杂的PGaN层及欧姆接触层；所述发光层用于发出四种不同峰值波长的蓝光；所述发光层为多重量子阱结构，其包括按照发光波长分成的第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层和第四量子阱层，且所述第一量子阱层靠近P型掺杂的PGaN层设置；所述第四量子阱层包括多个第四阱垒单元，每个第四阱垒单元均包括一个量子阱QW4和一个量子垒QB4，且其发光峰值波长为465～475nm，称为第四峰值波长；所述第三量子阱层包括多个设置在第四量子阱层上的第三阱垒单元，每个第三阱垒单元均包括一个量子阱QW3和一个量子垒QB3，且其发光峰值波长为455～465nm，称为第三峰值波长；所述第二量子阱层包括设置在第三量子阱层上的多个第二阱垒单元，每个第二阱垒单元均包括一个量子阱QW2和一个量子垒QB2，且其发光峰值波长为445～455nm，称为第二峰值波长；所述第一量子阱层包括设置在第二量子阱层上的多个第一阱垒单元，每个第一阱垒单元均包括一个量子阱QW1和一个量子垒QB1，且其发光峰值波长为435～445nm，称为第一峰值波长；所述第一峰值波长发光强度处于第二峰值波长发光强度的0.8倍到1.2倍之间；第三峰值波长发光度处于第二峰值波长发光强度的0.4倍到0.8倍之间；第四峰值波长发光强度处于第二峰值波长发光强度的0.3倍到0.8倍之间；所述第四量子阱层共包括循环交替生长的d组第四阱垒单元；第三量子阱层共包括循环交替生长的c组第三阱垒单元；第二量子阱层共包括循环交替生长的b组第二阱垒单元；第一量子阱层共包括循环交替生长的a组第二阱垒单元；循环数满足如下关系：a≥m2，1≤b≤m3，1≤c≤m4，1≤d≤m4；其中，m为四组量子阱的总循环数；量子垒QB4的厚度为d4，量子垒QB3的厚度为d3，量子垒QB2的厚度为d2，量子垒QB1的厚度为d1，d4≥d3≥d2＞d1；量子垒QB4掺杂Si的浓度为C4，量子垒QB3掺杂Si的浓度为C3，量子垒QB2掺杂Si的浓度为C2，量子垒QB1掺杂Si的浓度为C1，C4≤C3≤C2≤C1且C1C4≤3；C1的范围为4.8～5.2E+17atomscm3；C2的范围为3.3～3.7E+17atomscm3；C3的范围为2.0～2.6E+17atomscm3；C4的范围为1.8～2.4E+17atomscm3；d1的范围为7.5～8.5nm，d2的范围为8.5～10nm，d3的范围为9～10.5nm，d4的范围为9.5～11nm。

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