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摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，外延片依次包括衬底、缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型半导体层；P型半导体层包括依次包括第一阶梯层和第二阶梯层；第一阶梯层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的MgN层、Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N层和P型GaN层；第二阶梯层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层、P型InGaN层和非掺杂GaN层；其中，x1≥x2，y1≤y2，P型GaN层的掺杂浓度小于P型InGaN层的掺杂浓度。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型半导体层；所述P型半导体层包括依次层叠于所述多量子阱层上的第一阶梯层和第二阶梯层；所述第一阶梯层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的MgN层、Alx1Iny1Ga1-x1-y1N层和P型GaN层；所述第二阶梯层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层、P型InGaN层和非掺杂GaN层；其中，x1≥x2，y1≤y2，所述P型GaN层的掺杂浓度小于所述P型InGaN层的掺杂浓度。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
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