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摘要：本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述方法包括：制作外延结构；在所述外延结构上采用负性光刻胶制作图形化掩膜，所述图形化掩膜具有银镜结构开口；在所述银镜结构开口内溅射所述银镜结构，并去除所述图形化掩膜；将具有所述银镜结构的所述外延结构平放在机台内，使用氩气除去所述银镜结构表面的光刻胶残留。
主权项：1.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括：制作外延结构10；在所述外延结构10上采用负性光刻胶制作图形化掩膜，所述图形化掩膜具有银镜结构20开口；在所述银镜结构20开口内溅射所述银镜结构20，并去除所述图形化掩膜；将具有所述银镜结构20的所述外延结构10平放在机台内，使用氩气除去所述银镜结构20表面的光刻胶残留。
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百度查询： 京东方华灿光电(浙江)有限公司 发光二极管及发光二极管制备方法
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