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摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，具体地，涉及VCSEL芯片及VCSEL激光器。VCSEL芯片，用于半导体激光器，包括：N电极、N型DBR部、有源部、P型DBR部和P电极，并且所述N电极、所述N型DBR部、所述有源部、所述P型DBR部和所述P电极由下至上依次叠加设置；其中，所述P型DBR部设置为依次叠加的多层结构，所述多层结构的每层的横向面积，由下至上逐渐变小；并且，所述多层结构相邻的层之间设置为：处于下位的DBR层上端面边缘距离，所述处于上位的DBR层下端面边缘具有一距离。实施例，通过将VCSEL的P型DBR部的表面设置成阶梯结构，从而使得，VCSEL的整体的等效电阻可以有效的减小，同时也提高了散热性，提高芯片的热稳定性和高速调制性能。
主权项：1.一种VCSEL芯片，用于半导体激光器，其特征在于，包括：N电极、N型DBR部、有源部、P型DBR部和P电极，并且所述N电极、所述N型DBR部、所述有源部、所述P型DBR部和所述P电极由下至上依次叠加设置；其中，所述P型DBR部设置为依次叠加的多层结构，所述多层结构的每层的横向面积，由下至上逐渐变小；并且，所述多层结构相邻的层之间设置为：处于下位的DBR层上端面边缘距离，所述处于上位的DBR层下端面边缘具有一距离。
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百度查询： 深圳市中科光芯半导体科技有限公司 一种VCSEL芯片及VCSEL激光器
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